Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
Под заказ
Пластиковый корпус IGBT модуля 1200В, 200А
Артикул п.
—
APMTIWP200H12E4-6MB
Код товара
—
755575
Производитель
—
Beiyi Semiconductor Technology (Guangdong) Co., Ltd.
Под заказ
Полумостовой IGBT модуль 1200В, 450A
Артикул п.
—
AP450HB12ED3A
Код товара
—
589440
Производитель
—
APEMIC
12 098.16 ₽
Под заказ
IGBT модуль 1700В, 1200А, PrimePACK3
Артикул п.
—
RT1200HF170P3H
Код товара
—
566828
Производитель
—
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.
Под заказ
Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 85Вт, TO247-3
Артикул п.
—
IKW20N60H3FKSA1
Код товара
—
412461
Производитель
—
Infineon Technologies
631.37 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В
Корпус
—
D2Pak (TO-263)
Код товара
—
143023
34.27 ₽
2 261.30 ₽
Под заказ
Пластиковый корпус IGBT модуля 1200В, 50А
Артикул п.
—
APMTIUP50H12W4-7MB
Код товара
—
755580
Производитель
—
Beiyi Semiconductor Technology (Guangdong) Co., Ltd.
Под заказ
3 фазный IGBTмодуль 750B, 820А (короткие выводы)
Артикул п.
—
APMTI820F08A6M4A
Код товара
—
601118
Производитель
—
APEMIC
31 556.09 ₽
Под заказ
IGBT Модуль 1200В, 600А, Half Bridge, econodual 3
Артикул п.
—
AP600HB17N4-2MB
Код товара
—
593229
Производитель
—
APEMIC
Под заказ
IGBT модуль 1200В, 450A, Econodual 3
Артикул п.
—
AP600HB12ED3A
Код товара
—
589158
Производитель
—
APEMIC
14 781.74 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 600 Вт
Артикул п.
—
IXXH50N60C3D1
Корпус
—
TO-247 (IXXH)
Код товара
—
349185
Производитель
—
Littelfuse
1 574.02 ₽
9 007.27 ₽
Под заказ
Артикул п.
—
MG450HF12TLE3
Код товара
—
770678
Производитель
—
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
12 393.43 ₽
Под заказ
Артикул п.
—
2MBI 400U4Н-170-50
Код товара
—
567477
Производитель
—
FUJI Electric
Под заказ
Силовой модуль 2-IGBT 1700В 650А, PrimePACK 2
Артикул п.
—
FF650R17IE4
Корпус
—
AG-62MMHB
Код товара
—
527912
Производитель
—
Infineon Technologies
Под заказ
IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой
Артикул п.
—
DFI600HF12I4ME1
Примечание
—
IGBT Модуль 1200В, 600А
Код товара
—
518446
Производитель
—
Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
17 533.73 ₽
Под заказ
Силовой модуль IGBT N-канальный 600В 265А
Артикул п.
—
SKM195GB066D
Корпус
—
SEMITRANS® 2
Код товара
—
409151
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
11 311.78 ₽
Под заказ
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Артикул п.
—
HGT1S10N120BNST
Корпус
—
TO-263AB
Код товара
—
201331
Производитель
—
ON Semiconductor
22 545.72 ₽
Под заказ
IGBT модуь 1200В, 100А, 6-Pack
Артикул п.
—
6MBI100VA-120-50
Код товара
—
790654
Производитель
—
FUJI Electric
11 932.06 ₽
